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MR2A16A
FEATURES
?  Fast 35 ns Read/Write cycle
?  SRAM compatible timing, uses existing SRAM control -
lers without redesign
?  Unlimited Read & Write endurance
?  Data non-volatile for >20 years at temperature
?  One memory replaces Flash, SRAM, EEPROM and 
BBSRAM in a system for simpler, more efficient design
?  Replaces battery-backed SRAM solutions with MRAM 
to improve reliability
?  3.3 volt power supply
?  Automatic data protection on power loss
?  Commercial, Industrial, Extended temperatures
?  AEC-Q100 Grade 1 option
?  All products meet MSL-3 moisture sensitivity level
?  RoHS-compliant SRAM TSOP2 and BGA Packages
INTRODUCTION
256K x 16 MRAM Memory
44-pin TSOP2
48-ball BGA
RoHS
The  MR2A16A  is a 4,194,304-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device orga -
nized as 262,144 words of 16 bits.  The  MR2A16A  offers SRAM compatible 35 ns read/write timing 
with unlimited endurance.  Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automati -
cally protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of 
specification. 
The  MR2A16A  is the ideal memory solution for applications that must permanently store and re -
trieve critical data and programs quickly.
The  M2A16A   is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 44-pin thin 
small outline package (TSOP Type 2).  These packages are compatible with similar low-power SRAM 
products and other nonvolatile RAM products.
The  MR2A16A  provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures.  The prod -
uct is offered with Commercial (0 to +70 °C), Industrial (-40 to +85 °C), Extended (-40 to +105 °C), 
and AEC-Q100 Grade 1 (-40 to +125 °C) operating temperature range options.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
1
MR2A16A Rev. 11, 10/2013
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